存储芯片价格再创新高：DDR4现十年高位、NAND首破30美元，设备龙头中报预增超280%

全球存储市场的涨价行情仍在延续。据市场调研机构TrendForce的数据，PC用DDR4 8Gb颗粒7月均价升至24美元，创下2016年6月有统计以来的新高；128Gb MLC规格的NAND闪存均价则首次突破30美元，同样刷新历史纪录。业内人士透露，各大原厂已完成2027全年产能分配谈判，三家主要原厂的DRAM与HBM产能均已提前售罄，NAND Flash虽然供应紧张程度略低，但预计到2026年8月底前产能也将被预订完毕。

本轮周期的驱动逻辑与以往由消费电子主导的存储周期存在本质差异。高带宽存储单位比特所需的晶圆产能约为常规DDR5的2.5至3倍，每增加一片相关产能就会挤占数片通用DRAM产能，导致传统存储供给被结构性挤出。有机构测算，三大原厂高带宽存储晶圆投入占DRAM总投入的比重将由2025年的约18%升至2027年的约30%；服务器场景在DRAM需求中的占比也有望从2025年的50%提升至2030年的71%。产业端的技术演进同步加速，8月4日，两家存储厂商联合推出了高带宽闪存的行业首套标准规范，该技术定位于高带宽存储与固态硬盘之间的新型存储层级。

景气度正快速传导至设备与材料环节。中微公司8月3日晚间发布的半年度业绩预告显示，预计上半年实现营业收入约66.91亿元，同比增长约34.89%；归母净利润27亿元至29亿元，同比增长282.48%至310.81%；扣非净利润10亿元至12亿元，同比增长85.61%至122.73%。券商研报指出，存储制程升级推动薄膜沉积、刻蚀及量检测设备投资占比提升，三类设备合计占存储扩产投资超过50%；同时，阀门管路、陶瓷件、射频电源等零部件环节因海外交期延长，国产替代进程有望进一步加快。

来源：华尔街见闻 / 财联社 / 上市公司公告（2026-08-04）